ムーアの法則のブレイクスルーか - 1nmのゲートが開発される

研究室レベルの研究ですが，1nmノードのトランジスタが作られたそうです．軽くチェックしておきます．

ローレンス・バークレー国立研究所が1nmのゲート長をもつトランジスタを開発したとのこと．各社の2020年までのロードマップから考えると随分とブレイクスルーになるように見えますが実際のところはどうなのでしょうか．

And while companies like Intel had originally announced that they would be exploring other materials for producing 7nm semiconductors and beyond, the Berkeley Lab research team has beaten them to the punch, using carbon nanotubes and molybdenum disulfide (MoS2 ) to create a sub–7nm transistor. The MoS2 functions as the semiconductor, with the hollow carbon nanotube functioning as the gate to control the flow of electrons.

from the Verge

現在市場に出回っている半導体の多くは10nm〜14nmであること，大手メーカーであるIntel，AMDどちらも一桁台への移行は目立って動きを表明していないことから，まだ不安要素もあるのだろうと考えられています．7nmに関してはAMD陣営が派手に動いているように見えますが，あくまでサンプル段階のようで製品というものは見えてきていません．そんな中で実験室レベルの開発とは言え1nmのゲート長かつ実際に動くトランジスタを制作したというのは大きなステップアップに繋がりそうな予感です．

単体のトランジスタから集積させる段階も今後検討していくそうですが，時間がかかりそうな感じではあります．二硫化モリブデン，ジルコニア，CNTと材料費が結構かさみそうなところも少し気になる点で，実際に今回の技術が利用された製品が出てくるのかはまだ分からないですが，一つ期待の技術として注目できそうですね．